一种新型的高维持电压可控硅

• 作者: 仝壮 刘俊杰 刘志伟 尹沙楠 李浩亮
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 可控硅 高维持电压 N型掺杂层
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 811-814
• 页数: 4页
• 分类号: TN342
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170584

摘要

可控硅(SCR)作为静电放电(ESD)保护器件,因具有高的鲁棒性而被广泛应用,但其维持电压很低,容易导致闩锁问题.针对高压集成电路的ESD保护,提出了一种新颖的具有高维持电压的SCR结构(H HVSCR).通过添加一个重掺杂的N型掺杂层(NIL),减小了SCR器件自身固有的正反馈效应,从而提高了SCR的维持电压.Sentaurus TCAD仿真结果表明,与传统的SCR相比,改进的HHVSCR无需增加额外的面积就可将维持电压从1.88V提高到11.9V,可应用于高压集成电路的ESD防护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李浩亮	郑州大学信息工程学院	31	33	3.0	4.0
2	刘志伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	29	3.0	5.0
3	刘俊杰	郑州大学信息工程学院	6	2	1.0	1.0
4	尹沙楠	郑州大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0
5	仝壮	郑州大学信息工程学院	2	0	0.0	0.0