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摘要:
为深入研究系统电磁脉冲(SGEMP)特性,通过蒙特卡罗程序MCNP计算并总结了发射电子能谱、θ方向角分布以及光电产额等发射电子参数的变化规律,给出了不同X射线黑体温度下表征射线能量的能谱参数E1.利用3维全电磁PIC程序对SGEMP进行模拟,并将模拟结果与用X射线黑体温度T近似代替能谱参数E1取值方式下的模拟结果进行了对比.结果表明,低能射线的能谱参数与黑体温度近似相等;而高能射线的能谱参数与黑体温度存在偏差,会导致SGEMP模拟计算的电磁场峰值产生偏差.
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光电子
PIC程序
系统电磁脉冲
超辐射
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 系统电磁脉冲模拟中的发射电子参数计算
来源期刊 现代应用物理 学科 物理学
关键词 系统电磁脉冲 电子能谱 MCNP 角分布
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 电磁场与电磁波
研究方向 页码范围 66-71
页数 6页 分类号 O434.14
字数 2764字 语种 中文
DOI 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.040501
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈再高 27 89 6.0 7.0
2 王玥 西安交通大学电子与信息工程学院 35 194 7.0 13.0
3 陶应龙 13 26 3.0 3.0
4 陈剑楠 4 4 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
系统电磁脉冲
电子能谱
MCNP
角分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
季刊
2095-6223
61-1491/O4
大16开
西安市69信箱15分箱
2010
chi
出版文献量(篇)
533
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1
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594
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