碳化硅封装高功率半导体激光器散热性能研究

• 作者: 井红旗 倪羽茜 刘素平 孔金霞 王翠鸾 马骁宇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 碳化硅 热阻 结构函数法 氮化铝
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 激光器件与激光物理
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201845.0101002

摘要

为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能,将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比,使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃·W-1,AlN的约为3.4℃·W-1,SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7％,实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能.实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16A连续电流注入时,915 nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W,AlN为15W,测试结果显示SiC封装的器件具有更高的功率输出水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
2	王翠鸾	中国科学院半导体研究所	13	48	5.0	6.0
3	刘素平	中国科学院半导体研究所	37	253	7.0	15.0
4	孔金霞	中国科学院半导体研究所	4	22	2.0	4.0
5	井红旗	中国科学院半导体研究所	13	42	3.0	6.0
6	倪羽茜	中国科学院半导体研究所	4	38	3.0	4.0