8-羟基喹啉铝本征薄膜的制备与性质研究

• 作者: 刘雪凌 李瑞东 杨健
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 输运动力学 渡越时间方法 迁移率
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 激光材料与光学元件
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2018.01.015

摘要

8-羟基喹啉铝属于有机半导体材料,在太阳能电池应用领域有较为广阔的应用前景.为了研究8-羟基喹啉铝载流子输运动力学信息,在恒温条件下制备了8-羟基喹啉铝薄膜,采用X射线衍射分析方法对薄膜的性质进行了分析,采用渡越时间方法对影响其载流子迁移率的实验条件进行了理论分析和实验验证.结果表明,在308K～338K温度范围内,8-羟基喹啉铝的载流子输运规律符合浅陷阱模型;取样电阻小于15kΩ及光脉冲能量低于3.5μJ时,载流子渡越时间保持恒定,测试结果可靠.这一结果对有机太阳能电池的制备是有帮助的.