预氧化法制备均匀硅纳米线阵列

• 作者: 李燕秋 渠亚洲 程其进
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线阵列 预氧化清洗 金属辅助化学刻蚀 各向异性
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 页码范围: 2022-2027
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 字数: 4221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.10.005

摘要

利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs).通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性.此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2.4％.最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程其进	厦门大学能源学院太阳能研究所	3	1	1.0	1.0
5	渠亚洲	厦门大学能源学院太阳能研究所	2	1	1.0	1.0
9	李燕秋	厦门大学能源学院太阳能研究所	1	1	1.0	1.0