温度对(Pb0.97La0.02)(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电薄膜储能行为的影响

• 作者: 丑修建 乔骁骏 穆继亮 耿文平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反铁电 饱和极化强度 能量存储 电滞回线 锆钛酸铅 电容器
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 858-862
• 页数: 5页
• 分类号: TN384
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.11.010

摘要

反铁电薄膜因其利用反铁电-铁电相变实现高效能量存储(即高储能密度和高储能效率)成为目前国际上研究热点,然而对其储能行为随温度变化规律研究甚少.系统研究了锆钛酸铅基反铁电薄膜(Pb0.97 La0.02)(Zr0.95Ti0.05)O3的制备和性能表征;测量了不同温度下薄膜的电滞回线,室温下薄膜饱和极化强度约为35.37 μC/cm2,随着温度的升高,饱和极化强度降低,同时薄膜从反铁电相依次相变为铁电相、顺电相;研究了反铁电薄膜有效储能密度及能量转换效率,室温下反铁电薄膜的有效储能密度约为7.73 J/cm3,能量转换效率约为49％,随温度升高,有效储能密度降低而能量转换效率保持不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿文平	中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	7	2	1.0	1.0
2	丑修建	中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
3	穆继亮	中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	21	66	4.0	8.0
4	乔骁骏	中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	3	1.0	1.0