等离子体处理对非晶IGZO柔性薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 孙翔 石继锋 陈龙龙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 铟钾锌氧 等离子体处理 柔性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.01.006

摘要

研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH3等离子体和N2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化.结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压、场效应迁移率、开关比、亚阈值摆幅(SS)和偏压稳定性都有影响.TFT器件用NH3等离子体处理10 s显示出最佳的器件性能,阈值电压达到0.34 V,场效应迁移率为15.97 cm2/Vs,开关比为6.33×107,亚阈值摆幅为0.36 V/dec.提出的柔性IGZO-TFT是下一代柔性显示驱动装置较好选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈龙龙	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	4	16	3.0	4.0
2	孙翔	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0
3	石继锋	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	6	18	3.0	4.0