垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控

• 作者: 于东麒 刘妍 刘欢 周斌 张文华 敖伟栋 郑霄家 马青山
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ReS2(1–x)Se2x ReS2 硒化 垂直排列 带隙调控
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1083-1088
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20180065

摘要

二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要.研究采用CVD技术在SiO2/Si衬底上生长了垂直排列ReS2纳米片材料,硒化处理后得到ReS2(1–x)Se2x合金纳米片,并研究了硒化温度(700、850和920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5 h)对ReS2(1–x)Se2x合金纳米片形貌及组分的影响.XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS2(1–x)Se2x样品中Se含量可以在x=0(纯ReS2)到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55 eV(800 nm)调变到1.28 eV(969 nm).SEM结果显示ReS2(1–x)Se2x纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构.上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS2(1–x)Se2x合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值.