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摘要:
分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理.基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路.该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层.对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态.对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35 krad(Si)提升至50 krad(Si).
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文献信息
篇名 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 紫外焦平面 读出电路 抗辐照 电离辐照
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 502-505,510
页数 5页 分类号 TN23
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2018.04.011
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半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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