硅微通道板微加工技术研究

• 作者: 凌海容 李野 杨继凯 杨超 王国政 王蓟 端木庆铎 袁云龙
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅微通道板 光电化学腐蚀 原子层沉积 微加工技术
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 页码范围: 1804-1810
• 页数: 7页
• 分类号: TN205
• 字数: 4748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1093.2018.09.018

摘要

微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像.提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA).重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构.采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品.测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蓟	长春理工大学理学院	22	96	6.0	8.0
2	李野	长春理工大学理学院	68	297	9.0	13.0
3	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
4	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
5	杨继凯	长春理工大学理学院	23	26	3.0	4.0
6	杨超	长春理工大学理学院	7	3	1.0	1.0
7	凌海容	长春理工大学理学院	2	3	1.0	1.0
8	袁云龙	长春理工大学理学院	1	3	1.0	1.0