3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究

• 作者: 史琪 李雄军 林占文 王向前 耿松 韩福忠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 表面钝化 ZnS钝化膜 钝化膜应力 退火 AFM 锗衬底 碲镉汞
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 322-326
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2740字
• 语种: 中文

摘要

针对大面积碲镉汞表面钝化膜的应力问题,基于磁控溅射技术在3 in Ge基碲镉汞表面采用不同工艺条件沉积了ZnS钝化膜,并对其进行了退火处理.利用台阶仪和原子力显微镜(AFM)对ZnS钝化膜的应力及表面形貌进行了表征分析,结果表明:在磁控溅射方法中适当提高沉积温度和降低溅射功率,有效降低了ZnS钝化膜应力,平均应力由原来的924 MPa减小到749 MPa,且提高了应力分布均匀性;此外,退火处理有效降低了钝化膜的应力,并改善了ZnS薄膜的晶粒大小一致性和致密度.该研究为减小大尺寸碲镉汞表面钝化膜应力提供了思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	韩福忠		19	61	5.0	6.0
3	史琪		5	5	1.0	2.0
4	王向前		4	1	1.0	1.0
5	耿松		4	5	1.0	2.0
6	林占文		3	1	1.0	1.0