接触电阻技术研究新进展

• 作者: 张楠 张静 王文武 王艳蓉 闫江 魏淑华
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒高度 原位掺杂 固相外延 激光退火
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 791-797,805
• 页数: 8页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365 180046

摘要

从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结.首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果.其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用.然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术.最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张楠	北方工业大学电子信息工程学院	54	581	13.0	23.0
3	魏淑华	北方工业大学电子信息工程学院	16	8	2.0	2.0
4	张静	北方工业大学电子信息工程学院	15	15	2.0	3.0
5	王文武	中国科学院微电子研究所	6	4	1.0	2.0
8	闫江	北方工业大学电子信息工程学院	9	1	1.0	1.0
9	王艳蓉	北方工业大学电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0