基于化学掺杂的碳纳米管二极管

• 作者: 刘一剑 刘晓东 宋传娟 廖成浩 张丽英 杨俊茹 王英 董续盛 贺蓉 钟汉清 陈长鑫
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 单壁碳纳米管 p-i-n结二极管 局部化学掺杂 整流特性
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 476-480
• 页数: 5页
• 分类号: TN65
• 字数: 3380字
• 语种: 中文

摘要

本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT)p-i-n结二极管.在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性.所制二极管器件具有高的器件性能,其整流比可达103数量级、反向饱和电流仅为23 pA.此外,简要探讨了该结构二极管的工作原理.