用结构函数法测量GaN HEMT与夹具的界面层热阻

• 作者: 乔玉娥 刘岩 刘霞美 吴爱华 梁法国 翟玉卫 郑世棋
• 来源期刊: 中国测试
• 关键词: 结构函数 GaNHEMT 热阻 界面层 瞬态双界面法
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 物理测试
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11857/j.issn.1674-5124.2018.01.006

摘要

为准确测量GaN HEMT与夹具界面层的热阻,在两种不同的管壳界面材料条件下,利用经过改进的显微红外热像仪测量GaN HEMT的降温曲线.采用结构函数算法对两种降温曲线进行分析,得到反映器件各层材料热阻的积分结构函数曲线.利用JESD51-14中的方法分别确定结壳热阻分离点和夹具到热沉的热阻分离点,得到结壳热阻Rj-c为1.078 K/W,夹具到热沉的热阻Rf-s为0.404 K/W.利用两种条件下的总热阻减去结壳热阻和夹具到热沉的热阻得到管壳界面材料热阻,导热硅脂热阻为0.657 K/W,空气介质热阻为1.105 K/W.依据该方法可以实现对界面层热阻的测量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔玉娥	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	27	3.0	4.0
2	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
3	郑世棋	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	25	3.0	3.0
4	吴爱华	中国电子科技集团公司第十三研究所	40	63	4.0	6.0
5	翟玉卫	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	64	4.0	6.0
6	刘岩	中国电子科技集团公司第十三研究所	28	43	4.0	4.0