用于固态纳米孔制备的单层WS2薄膜转移技术

• 作者: 于乐泳 冯双龙 周大明 周彪 王赟姣 石彪 苏成志
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钨(WS2) 固态纳米孔 转移技术 氮化硅(Si3N4) DNA测序
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 510-514
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

由于单层WS2薄膜转移技术的限制,使基于WS2的固态纳米孔精确构筑成为了技术难题,限制了WS2等新型二维材料在固态纳米孔DNA测序领域的应用.在可控生长WS2单层薄膜的基础上,以在SiO2/Si衬底上生长的单层WS2薄膜为研究对象,通过改进传统的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)辅助湿法转移技术,成功地将单层WS2薄膜精确转移至纳米/微米级Si3N4窗口上.本方法具有可重复性好和操作简便等特点,特别适合小尺寸薄膜的精确转移,可推广至其他二维材料的应用,进而推动基于二维材料的固态纳米孔DNA测序技术的发展.