一种适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的改进对角线算法

• 作者: 刘海涛 刘远飞 李鹏程
• 来源期刊: 遥测遥控
• 学科: 工学
• 关键词: NAND型Flash 译码故障 对角线算法
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 论文与技术报告
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2032字
• 语种: 中文

摘要

为保证有故障的进口低等级NAND型Flash存储器在装机前的二次筛选环节能够被准确剔除,以存储器的存储阵列结构分析为出发点,结合NAND结构的实际特征,以三星公司生产的K9F2G08U0A-PCB0/PIB0商业级Flash芯片为研究对象,对现有的用于测试存储器译码故障的对角线算法进行改进,并通过总剂量试验使存储器产生部分坏块来验证改进算法的有效性.结果表明,改进后的对角线算法能够很好地检测出存储器的译码故障,解决了原有对角线算法不适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李鹏程		8	23	3.0	4.0
2	刘远飞		2	1	1.0	1.0
3	刘海涛		5	87	3.0	5.0