高精度、快速瞬态响应LDO电路设计

• 作者: 刘智 姜洪雨 梁希 葛梅
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDO 带隙基准 高阶曲率补偿 快速瞬态响应
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与网络
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: V443|TN43
• 字数: 1632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2018.05.006

摘要

文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路.该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性.这里采用0.6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造.测试结果表明,输出误差小于1％,瞬态响应特性与国外产品相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘智		13	42	3.0	6.0
2	梁希		3	7	1.0	2.0
3	姜洪雨		3	28	2.0	3.0
4	葛梅		1	0	0.0	0.0