离子注入和热退火工艺对应变Si材料应力影响研究

• 作者: 王颖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si材料 离子注入 热退火 拉曼测试
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 2274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.01.002

摘要

应变Si技术是延续摩尔定律最有效技术之一,重点研究了离子注入和热退火过程对应变Si材料中应力的影响,开展了不同离子注入类型、能量和剂量,以及热退火温度和时间对应变Si材料特性影响的实验,并应用拉曼测试对实验结果进行了分析,结果表明:在剂量小于5×1014cm-2时,应变Si材料中的应力几乎不随离子注入的能量与剂量变化;应变Si材料在1000 ℃以下,在60 min以内热退火,应力几乎不随温度与时间的变化而变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖		12	1	1.0	1.0