直流射频耦合制备微纳结构AZO薄膜及其性能研究

• 作者: 仲召进 姚婷婷 彭塞奥 李刚 杨勇 汤永康 沈洪雪 沈鸿烈 王天齐 甘治平 金克武 金良茂 马立云
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 表面形貌 微纳结构 靶电压 电学性能 雾度
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.06.14

摘要

采用直流射频耦合磁控溅射法结合线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,底层AZO薄膜射频功率占比从50％调整到90％.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试系统、紫外可见分光光度计、光电雾度仪重点研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能.研究结果表明,提高底层AZO薄膜射频功率占比对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响,底层AZO薄膜射频功率占比80％时薄膜表现最低电阻率5.32×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学雾度36.3％.随着底层AZO薄膜射频功率占比的增加,薄膜表面形貌、生长形态和结晶性能发生较大变化,并得到具有陷光作用且光电性能优良的微纳结构AZO薄膜.