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摘要:
基于高频压电阻抗方法,利用粘贴于HTPB固体推进剂的压电主动激励传感器对HTPB固体推进剂老化损伤进行实验研究.介绍了EMI检测HTPB推进剂老化的意义,进一步阐述了压电阻抗方法表征老化损伤的原理,制备了热老化推进剂试件,搭建EMI试验平台,得出了不同热老化时间的导纳频谱曲线及变化规律,计算了能表征老化损伤程度的均方根偏差损伤指标.结果表明,高频压电阻抗方法可通过识别热老化HTPB推进剂试件上的压电片的导纳变化而检测其老化损伤;一定频率范围内导纳的实部比虚部能够更好地反映出老化特性,并且随着推进剂热老化时间的增长,导纳实部的共振峰值下降,共振频率向更低频偏移.通过RMSD定义的老化损伤指标能够更好地衡量推进剂的老化程度.
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文献信息
篇名 基于压电阻抗法的固体推进剂老化损伤检测
来源期刊 固体火箭技术 学科 航空航天
关键词 HTPB固体推进剂 老化损伤 压电阻抗方法 均方根偏差
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 含能材料
研究方向 页码范围 608-613
页数 6页 分类号 V512
字数 4616字 语种 中文
DOI 10.7673/j.issn.1006-2793.2018.05.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 肖黎 武汉大学工程力学系 51 130 7.0 8.0
2 强洪夫 火箭军工程大学导弹工程学院 32 37 4.0 5.0
3 王学仁 火箭军工程大学导弹工程学院 8 9 2.0 3.0
4 张守诚 武汉大学工程力学系 3 5 1.0 2.0
5 王广 火箭军工程大学导弹工程学院 11 2 1.0 1.0
6 段磊光 火箭军工程大学导弹工程学院 5 0 0.0 0.0
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老化损伤
压电阻抗方法
均方根偏差
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固体火箭技术
双月刊
1006-2793
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1978
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