InAs/GaSb超晶格长波红外探测器

• 作者: 丁颜颜 刘斌 周文洪 张舟 李云涛 杨煜 汪良衡 雷华伟
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 长波红外
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 473-476
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1818字
• 语种: 中文

摘要

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器因其特殊的能带结构及其自身的材料和器件优势,在红外成像技术上具备极大的应用价值和前景,同时在大面阵长波红外探测器及甚长波红外探测器领域展现出优异的器件性能,并推动世界各国对这一低维半导体研究的持续发展,成为第三代红外探测器技术的最佳选择,并在国防建设、医疗、电力、天文学、抗灾方面有着广泛的应用.本文着重介绍了Ⅱ类超晶格长波红外探测器器件的制备、焦平面的成像测试以及器件的相关性能.长波探测器器件在77 K条件下10%截止波长为14 μm,峰值量子效率为35%,峰值响应2.6 A/W,峰值探测率接近1×1010 cmHz1/2W-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周文洪		4	4	2.0	2.0
2	刘斌		4	4	2.0	2.0
3	汪良衡		2	2	1.0	1.0
4	李云涛		2	2	1.0	1.0
5	雷华伟		2	2	1.0	1.0
6	杨煜		2	2	1.0	1.0
7	丁颜颜		2	2	1.0	1.0
8	张舟		2	2	1.0	1.0