短沟MOS器件GIDL漏电的改善

• 作者: 洪根深 赵文彬 陈天 顾祥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧 栅致漏极泄漏 Halo LDD RTA
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 1720字
• 语种: 中文

摘要

随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈.研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制.通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	顾祥	中国电子科技集团公司第五十八研究所	9	10	2.0	2.0
3	陈天		1	1	1.0	1.0
4	赵文彬	中国电子科技集团公司第五十八研究所	9	10	2.0	2.0