GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用

• 作者: 刘晓艺 周泉斌 李祈昕 王洪
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓基高电子迁移率晶体管 无金欧姆接触 低温合金 欧姆前刻槽 退火工艺
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 71-77
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响.系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌.并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件.实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10-5 Q·cm2、表面形态平整的欧姆接触电极,所制备的AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件,在VGS=0 V时的源漏饱和电流(IDSS)为345.7 mA/mm,对未掺杂AlGaN/GaN HEMTs器件的低温无金欧姆接触的实现具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
5	李祈昕	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心	1	0	0.0	0.0
9	周泉斌	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心	1	0	0.0	0.0
13	刘晓艺	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心	1	0	0.0	0.0