S波段GaN MMIC功率放大器的设计

• 作者: 刘世中 桑磊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 低Q值 功率放大器 阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 748-752
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.7+5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180026

摘要

针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构.基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段MMIC功率放大器.采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程.仿真结果表明,在2～4 GHz工作频率范围内,输出功率大于38 dBm,功率附加效率为29％～48.8％,功率增益为19.0～20.4 dB,S11小于-7.7 dB,S22小于-9.2 dB.芯片尺寸为3 mm×1.7mm.该功率放大器具有较高的实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑磊	合肥工业大学光电技术研究院	10	16	2.0	3.0
2	刘世中	合肥工业大学光电技术研究院	1	2	1.0	1.0