基于分子动力学的压力对纳米抛光碳化硅的影响分析

• 作者: 张广辉 徐进友 王桂莲 王治国
• 来源期刊: 重型机械
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 抛光 压力 材料去除
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 新技术新设备
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TG580.692
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-196X.2018.06.006

摘要

本文运用分子动力学基本原理建立了金刚石磨粒抛光碳化硅工件的三维模拟模型,对线性增大抛光压力时系统势能、 碳化硅工件的温度与材料去除量的变化规律进行了深入分析.研究结果表明:随着抛光压力的线性增加,系统势能和工件温度首先明显增大,然后增速变得缓慢,最后趋于动态平衡的状态,工件表面的材料去除形式由压实去除转变为犁沟去除,直至大变形切削过程,工件表面的原子去除数量近似指数函数变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐进友	天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室	9	11	1.0	2.0
2	王治国	桂林航天工业学院机械工程学院	3	0	0.0	0.0
3	王桂莲	天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室	6	0	0.0	0.0
4	张广辉	天津理工大学天津市先进机电系统设计与智能控制重点实验室	1	0	0.0	0.0