化学气相沉积法可控制备石墨烯薄膜和单晶畴

• 作者: 孟军华 杨晓丽
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 单晶畴 化学气相沉积(CVD) 铜箔 体积流量比
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.01.011

摘要

采用化学气相沉积(CVD)法,以铜箔为衬底,以甲烷为碳源,制备了石墨烯薄膜和单晶畴,并利用扫描电子显微镜、光学显微镜、喇曼光谱仪、紫外-可见透过光谱仪等手段对石墨烯进行了系统表征.结果表明,质量分数为10％的稀硝酸对铜箔表面进行腐蚀处理20 s可以有效去除铜箔表面析出的杂质颗粒,从而提高石墨烯的质量.在此基础上,研究了氢气和甲烷体积流量比对石墨烯生长的影响,当氢气和甲烷体积流量比从0∶1变化到5∶1时,石墨烯薄膜从单层生长变化到多层生长.此外,氢气和甲烷体积流量比也会显著影响晶畴的形状,随着氢气和甲烷体积流量比的增加,石墨烯晶畴从无规则形状逐渐变化到六边形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓丽		6	20	4.0	4.0
2	孟军华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	7	1.0	2.0