重离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究

• 作者: 习凯 侯明东 刘天奇 刘杰 叶兵 姬庆刚 孙友梅 李宗臻 殷亚楠 王斌 赵培雄
• 来源期刊: 原子核物理评论
• 学科: 物理学
• 关键词: 重离子辐照 静态随机存储器 错误检查和纠正 伪多位翻转
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 交叉学科
• 页码范围: 66-71
• 页数: 6页
• 分类号: O571.33
• 语种: 中文
• DOI: 10.11804/NuclPhysRev.35.01.066

摘要

为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构.但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难.运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性.为“伪多位翻转(FMBU)”以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则.除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想.在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转.