绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析

• 作者: 吴淑静 戴显英 苗东铭 赵天龙 邵晨峰 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 机械弯曲退火 晶圆级单轴应变 绝缘体上硅 应力分布 有限元分析
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 162-167
• 页数: 6页
• 分类号: TN30405|O35
• 字数: 2977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2018.01.029

摘要

为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算.模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显著增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降.最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性.