芯片用钽阻挡层材料织构控制技术研究

• 作者: 何季麟 李兆博 汪凯 焦红忠 王莉 钟景明
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 钽靶材 织构控制 钽阻挡层材料 芯片
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1273-1280
• 页数: 8页
• 分类号: TG372
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY17120044

摘要

对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了芯片用钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最先进的12英寸晶圆用的12英寸钽靶材时,其织构要求发生的变化和织构控制的难点;论述了本研究小组通过对织构控制的关键工艺(锻造和轧制工艺)进行的实验,引入1000～ 1400℃加工变形温度,采用剧烈塑性变形(SPD)锻造和不对称轧制(WR)轧制技术,使用电子背散射衍射(EBSD)进行织构表征,使钽靶材的织构分布梯度减小,{100}织构组分比例提高,最终形成了2次热SPD锻造和WR轧制的钽靶材织构控制关键技术,而其中WR轧制技术起到决定性作用;通过本研究,攻克了12英寸钽靶材织构控制难题,得到了满足12英寸晶圆用的12英寸钽靶材,对推动12英寸钽靶材的产业化起到了有力的技术支持.