Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性

• 作者: 夏永禄 李祥 毛红敏 王晓丹 陈飞飞 韩晶晶
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 阴极荧光 铕 发光 能量传递
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1268-1271
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183909.1268

摘要

通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到GaN基质中.X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤.利用阴极荧光光谱可得到GaN:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁.另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光.退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光.GaN基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏永禄	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	1	1.0	1.0
2	韩晶晶	江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室苏州科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0
3	王晓丹	江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室苏州科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0
4	陈飞飞	江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室苏州科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0
5	李祥	江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室苏州科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0