L波段GaN自偏压功率放大器

• 作者: 李飞 钟世昌
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 自偏压 内匹配
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 918-920
• 页数: 3页
• 分类号: TN78
• 字数: 1431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201805.0918

摘要

介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器.器件采用0.25μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配,放大器的工作频带范围为1.2～1.4 GHz.采用自偏压技术,单电源供电,使电路更为简洁,使用方便.工作电压为28 V,占空比为10％,脉宽为300μs,在输入功率为26 dBm时,频带内输出功率在40 dBm以上,功率附加效率大于60％,充分显示了GaN功率器件在单电源模块中的性能优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟世昌		15	22	3.0	3.0
2	李飞		2	4	2.0	2.0