基于湿法表面活化处理的InP/SOI晶片键合技术

• 作者: 孙长征 宫可玮 熊兵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 晶片键合 表面处理 键合强度 键合缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.01.012

摘要

为了实现集成硅基光源,研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术.采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理,同时采用Piranha溶液对SOI晶片进行表面活化处理,实现了二者的低温直接键合.分别采用刀片嵌入法和划痕测试仪对样品的键合强度进行了定性及定量分析.同时,采用超声波扫描显微镜及扫描电子显微镜对键合界面的缺陷信息及键合截面的微观特性进行了评估.分析结果表明:提出的键合工艺可以获得较好的键合效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙长征	清华大学信息科学与技术国家实验室	22	73	3.0	8.0
2	熊兵	清华大学信息科学与技术国家实验室	18	13	2.0	2.0
3	宫可玮	清华大学信息科学与技术国家实验室	2	0	0.0	0.0