腐蚀溶液对石墨烯转移质量和GFET性能的影响

• 作者: 张茂贤 彭争春 彭冬生 蒋月 陈祖军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 腐蚀溶液 石墨烯场效应晶体管(GFET) 电学性能 狄拉克点
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 305-309,320
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.18|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.012

摘要

对比分析了过硫酸铵(APS)与三氯化铁(FeCl3)两种腐蚀溶液对转移后石墨烯质量的影响.结果表明,采用FeCl3腐蚀溶液转移后的石墨烯表面会引入Fe和Cl离子,而APS腐蚀溶液转移后的石墨烯表面基本未引入杂质.将两种转移到SiO2/Si基底上的石墨烯样品蒸镀100 nm厚的金的源漏电极后分别制成了石墨烯场效应晶体管(GFET),并在室温下对其进行了电学性能测试.测试结果表明,相对于FeCl3腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成的器件,采用APS腐蚀溶液转移的石墨烯样品制成器件的狄拉克点从75 V左右降低到了0V左右,载流子迁移率从823 cm2/(V·s)提升到了1 324 cm2/(V·s).因此,采用APS腐蚀溶液转移石墨烯引入杂质更少,制备的器件性能更优越.