POCl3掺杂对PNP管特性的影响研究

• 作者: 冯霞 梁涛
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: PNP管 POCl3 基区掺杂 预扩散 扩散时间
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 425-428
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3|TN322+.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180021

摘要

PNP管的结构是由P型发射区、N型基区、P型集电区组成的三层两结.PNP管的基区宽度和基区掺杂对PNP管电特性的影响很大.在常规IC工艺中,通常采用先做试片的方式来确定基区的磷掺杂扩散时间,工艺加工效率低.为了解决这个问题,从磷源POCl3的温度、扩散时间两方面入手,对PNP管的电流增益β进行了实验研究.结果表明,在POCl3温度为(20±1)℃、预扩散时间为(46±2)min、β不小于80的条件下,PNP管的β变化量小于50％.该研究用于实际PNP管的制造工艺中,工艺加工效率提高了100％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁涛	中国电子科技集团公司第二十四研究所	6	11	2.0	3.0
2	冯霞		2	1	1.0	1.0