基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路

• 作者: 冯朝文 崔焕卿 徐立 杨晓阔 王森 蔡理
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应变调制型磁性隧道结(MTJ) 电路模型 或非(NOR)逻辑 与非(NAND)逻辑 CMOS
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 84-90
• 页数: 7页
• 分类号: TN791
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.02.002

摘要

建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性.基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路.分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性.对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性.仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性.研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓阔	空军工程大学理学院	45	108	6.0	8.0
2	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
3	王森	空军工程大学理学院	55	224	9.0	12.0
4	冯朝文	空军工程大学理学院	36	108	6.0	8.0
5	崔焕卿	空军工程大学理学院	13	13	2.0	3.0
6	徐立	空军工程大学理学院	2	0	0.0	0.0