提高等离子体密度对不同放电条件下逃逸电子行为对比分析

• 作者: 竹锦霞
• 来源期刊: 首都师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 逃逸电子 等离子体密度 欧姆放电 低杂波电流驱动
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O53
• 字数: 2330字
• 语种: 中文

摘要

利用硬X射线诊断系统,对比分析了提高等离子体密度对欧姆放电和低杂波电流驱动放电下逃逸电子行为的影响.实验结果表明:在欧姆放电平顶阶段提高等离子体密度能有效抑制强逃逸分布,然而在低杂波关断时提高等离子体密度并没有抑制电子逃逸,反而出现逃逸电子雪崩增长.根据不同逃逸产生机制对该现象进行了对比分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	竹锦霞	四川文理学院智能制造学院	26	24	3.0	4.0