纳米柱InGaN/GaN多量子阱的干法刻蚀制备技术

• 作者: 姜红苓 贾美琳 闫晓密
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 多量子阱(MQW) 纳米柱 干法刻蚀 自组装Ni纳米颗粒 快速热退火(RTA)
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 296-300
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.26|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.010

摘要

纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义.采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)制备纳米柱InGaN/GaN MQW.通过改变RTA温度发现在800℃以上才能有效形成Ni纳米颗粒掩膜.不同的ICP和射频(RF)功率条件下制备的纳米柱MQW光致发光强度相比于相同结构的平面MQW会发生显著变化.通过优化ICP-RIE的刻蚀条件,可以获得发光强度显著提高的纳米柱MQW结构.同时,纳米柱MQW中压电极化场的减弱会形成光致发光峰位蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫晓密		4	4	1.0	1.0
2	贾美琳		2	2	1.0	1.0
3	姜红苓		1	0	0.0	0.0