基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究

• 作者: 任玲玲 周丽旗 李旭 陶兴付 高思田
• 来源期刊: 航空材料学报
• 关键词: 高分辨成像 几何相位分析 铌薄膜 硅基体 混合层 应变
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 96-103
• 页数: 8页
• 分类号: TB331
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000114

摘要

用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态.结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间存在铌、硅元素的混合层;当溅射气压为0.65 Pa,0.85 Pa和1 Pa时,硅基体中应变εxx分别是–0.16%,–0.30%和0.42%,εyy分别是–1.23%,–0.31%和0.26%,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李旭	中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所	42	118	5.0	9.0
2	任玲玲	中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所	35	122	6.0	9.0
3	高思田	中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所	93	567	11.0	19.0
4	陶兴付	中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所	9	25	3.0	4.0
5	周丽旗	中国计量科学研究院纳米新材料计量研究所	2	0	0.0	0.0