基于ANSYS的勾形电磁场有限元分析

• 作者: 吴华勇 林智慧 盛虎
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 勾形磁场 有限元 建模 磁场强度 参数优化
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TP319
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.1700807

摘要

为提高单晶硅质量,采用ANSYS软件对勾型电磁场进行理论分析和优化设计.建立8 in单晶炉勾型磁场的仿真模型,并分析了磁场径向分量Br随径向变化规律和磁场轴向分量Bz随轴向距离变化规律,验证了模型的准确性;在此模型基础上,分析和确立了影响单晶生长的关键磁场参数,进一步对线圈电流I、线圈直径R和线圈间距h等对磁场影响规律进行了探讨,并得到优化的结构参数.仿真结果表明本文所设计的磁场关键参数正确性和有效性,为指导勾型磁场设计提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林智慧		26	77	4.0	8.0
2	吴华勇		3	0	0.0	0.0
3	盛虎		1	0	0.0	0.0