HDP-CVD磷硅玻璃特殊磷掺杂分布的机理研究

• 作者: 吴建荣
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 高密度等离子化学气相淀积 磷硅玻璃 薄膜
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 411-415
• 页数: 5页
• 分类号: TN405|TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170352

摘要

研究了HDP-CVD PSG薄膜在栅极周围类似“花朵”状的磷含量分布的机理.实验结果表明,“花朵”状的磷含量分布是HDP-CVD反应腔中Bias RF将栅极间隙顶部的氧化物轰击溅射到间隙底部,掉落在间隙底部拐角处的氧化物再淀积的PSG薄膜中磷含量比其他区域低而形成的.这种“花朵”状的磷含量分布沿着栅极两边间隙底部拐角往上生长,是HDP-CVD PSG薄膜所特有的,它的形成与底部材料以及图形疏密分布无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建荣		1	0	0.0	0.0