FTO薄膜电子结构和光学性质的PBE0方法研究

• 作者: 牛孝友 王丽 王立坤 赵洪力 郁建元
• 来源期刊: 燕山大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: FTO薄膜 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2797字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007?791X.2018.01.006

摘要

本文基于密度泛函理论(DFT)PBE0方法对本征SnO2及SnO2: F电子结构及光学性质进行了理论计算,从理论上描述了光学性质与电子结构关系.计算结果表明,PBE0方法计算光学带隙最接近实验数值.在PBE0赝势下,计算了本征SnO2及SnO2: F能带结构、电子态密度.掺杂后,体系局域态密度增加,费米能级穿越导带底部,F掺杂增强SnO2的导电性.增加F掺杂浓度,体系等离子体频率降低,有利于降低FTO薄膜红外辐射率.F掺杂SnO2后,介电函数谱发生红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵洪力	燕山大学材料科学与工程学院	31	150	6.0	10.0
2	郁建元	燕山大学材料科学与工程学院	15	25	3.0	4.0
4	王丽	燕山大学材料科学与工程学院	10	25	3.0	4.0
7	王立坤	燕山大学材料科学与工程学院	6	10	2.0	3.0
8	牛孝友	燕山大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0