多孔钨微尖阵列阴极及其电子发射特性

• 作者: 任峰 卢志鹏 李阳 王宇 阴生毅
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔钨 微尖阵列 钪 场发射
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米真空电子器件专辑
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: O462
• 字数: 4714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.03.06

摘要

为适应高频器件对低温高发射阴极的需求,发展了一种新型的多孔钨微尖阵列阴极,并对其发射特性进行了测试和分析.新阴极特征为,采用激光熔刻技术在多孔钨基体表面构造出规则排列的微尖阵列,基体内部孔隙浸渍含钪高活性发射物质,经高温激活之后用作低温发射阴极.二极管测试表明,在850和650℃阴极脉冲发射电流达到57.02和8.23 A/cm2.分析认为,阴极属于场发射电子占主导地位的热辅助场发射阴极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	211	1906	23.0	32.0
2	阴生毅	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	18	101	6.0	9.0
3	任峰	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	4	7	1.0	2.0
7	李阳	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	52	232	8.0	14.0
8	卢志鹏	中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室	2	0	0.0	0.0