A/B位双取代钛酸铋钠基压电陶瓷性能研究

• 作者: 刘霄 徐小敏 杜慧玲
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸铋钠 铁电 电致应变 缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 683-687
• 页数: 5页
• 分类号: TM282
• 字数: 3522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170398

摘要

采用固相烧结方法制备了Bi、Co同时取代化学计量比钛酸铋钠基(Bi0.5+x/2Na0.5-x/2)0.94Ba0.06Ti1-xCoxO3无铅压电陶瓷, 研究了材料中A/B位缺陷对其电滞回线和电致应变的影响.结果表明陶瓷具有均一的赝立方结构, 随着掺杂量的增加, 材料铁电-弛豫相转变温度降低, 应变增加.同时材料在疲劳过程中伴随着弛豫相的增多, 在较低电场下产生较大的应变(0.458%), 逆压电常数d33*达到770 pm/V.介电温谱和电滞回线上反常变化与化学计量比陶瓷中产生的A/B位缺陷偶极子密切相关, 并表明这种缺陷偶极子是以氧空位为媒介形成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜慧玲	西安科技大学材料科学与工程学院	59	209	8.0	11.0
2	刘霄	西安科技大学材料科学与工程学院	5	1	1.0	1.0
3	徐小敏	西安科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0