光检波微纳真空三极管技术

• 作者: 郝广辉
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空电子 光检波 微纳真空三极管
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米真空电子器件专辑
• 页码范围: 30-36
• 页数: 7页
• 分类号: TN12
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2018.03.05

摘要

光检波微纳真空三极管是通过调制光信息来控制器件的工作状态,包括发射电子密度以及三极管的开关状态,来进行信息处理与传递.通过分析MOS器件中二维电子气作用下电子发射特性,研究了GOS器件中光激发电子发射机理与发射模型,进而设计出周期性薄膜结构的真空沟道三极管.计算了垂直型与V型真空沟道中电场的分布,结果显示V型真空沟道的三极管可具有更高的电子发射能力和更快的响应速度.通过对比制备工艺,发现金属有机气相外延或分子束外延生长的周期性Ⅲ-V族半导体薄膜材料具有更高的生长质量且工艺简单,是制作光检波真空沟道三极管的理想材料.并仿真了不同阳极电压下V型真空沟道三极管的电子发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝广辉		5	3	1.0	1.0