金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化

• 作者: 宋李梅 胡飞 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 274-279,320
• 页数: 7页
• 分类号: TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.006

摘要

金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景.作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响.采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性.通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式.结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率(di/dt)由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性.最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
10	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
19	胡飞	中国科学院微电子研究所	26	43	3.0	5.0