电流源型驱动在高功率密度IGBT5中的应用研究

• 作者: 李佳旭 王天真 秦海洋 赵振波 郑姿清
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率密度 IGBT 电流源型驱动 开关损耗
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 功率器件
• 页码范围: 159-165
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 3625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2018.6.159

摘要

绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的不断发展也推动着驱动技术的发展.为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt,提升系统的功率密度和能量转换效率,使用一种具有转换速率控制功能的驱动芯片设计电流源型驱动.通过双脉冲实验平台进行测试,将结果与传统的电压源型驱动测试的结果进行对比、分析,从而验证该电流源型驱动在减小开通损耗和优化电流变化率di/dt方面的优势,为驱动电路的研究与设计提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王天真	上海海事大学物流工程学院	24	190	7.0	13.0
2	秦海洋	上海海事大学物流工程学院	1	0	0.0	0.0
3	郑姿清		6	8	1.0	2.0
4	赵振波		6	0	0.0	0.0
5	李佳旭		1	0	0.0	0.0