面向5nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究

• 作者: 余金中 吴次南 张兆浩 张青竹 曹志军 李俊杰 李志华 殷华湘 王桂磊 闫江
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: GeSi HF-H2O2-CH3COOH溶液 纳米线 CH3COOH
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 121-126
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2018.02.08

摘要

针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6％)∶H2O2(30％)∶CH3COOH(99.8％)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响.混合溶液放置时间在48 h内,C-eSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48h后腐蚀速率趋于稳定.另外,在厚度相同的情况下,GeSi层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大.本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象.该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义.