基于HfO2栅介质的Ga2O3 MOSFET器件研制

• 作者: 冯志红 刘沛 吕元杰 敦少博 韩婷婷 顾国栋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) HfO2介质层 Fe掺杂 漏源饱和电流 击穿电压
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 177-180,232
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.004

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010) Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层.基于掺杂浓度为2.0×1018 cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8V时,漏源饱和电流密度达到42 mA/mm,器件的峰值跨导约为3.8 mS/mm,漏源电流开关比达到108.此外,器件的三端关态击穿电压为113 V.采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯志红		38	81	5.0	5.0
2	刘沛		9	10	2.0	2.0
3	吕元杰		12	11	2.0	2.0
4	顾国栋		3	4	2.0	2.0
5	敦少博		10	19	3.0	4.0
6	韩婷婷		4	3	1.0	1.0