低温漂高抑制比带隙基准电压源设计

• 作者: 刘伯权 罗治民 郭佳佳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 曲率补偿 低温漂系数 电流抽取 电流注入
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 26-29,44
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2797字
• 语种: 中文

摘要

采用含运算放大器钳位结构的带隙基准核心电路,设计一种低温漂系数高抑制比带隙基准电压源.针对基准核心电路输出电压中高阶温度分量对温漂系数的影响,加入了一种电流抽取与注入结构的高精度曲率校正电路,在基准输出电压随温度上升而增大阶段抽取一部分正温度系数电流,在基准输出电压随温度上升而减小阶段注入一部分正温度系数电流,利用单一的正温度系数电流对基准输出电压高阶温度分量进行校正,达到降低温漂系数的目的.在0.5 μm CMOS工艺模型下,使用Cadence Spectre软件对电路进行仿真,仿真结果表明,温度特性得到了较大的改善,当温度在-40～+125℃范围内时,温漂系数仅为0.5057×104/℃,低频段时电源抑制比为-81.8 dB.带隙基准电路正常工作的最低电源电压为2.4 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗治民	湘潭大学微电子科学与工程系	3	4	1.0	2.0
2	刘伯权	湘潭大学微电子科学与工程系	6	22	3.0	4.0
3	郭佳佳	湘潭大学微电子科学与工程系	3	4	1.0	2.0