化学腐蚀对半导体硅片抛光后局部平整度的影响

• 作者: 周旗钢 宁永铎 李耀东 王新 路一辰 钟耕杭
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 局部平整度 200 mm硅片 化学腐蚀 抛光
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1186-1192
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY17050037

摘要

抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一.分析了不同的化学腐蚀处理对抛光后局部平整度的影响.实验结果表明,不同的腐蚀处理方式会产生不同的表面状态,进而影响抛光后的局部平整度,抛光后SFQR与腐蚀片总厚度差(TTV)以及平整度(TIR)呈现出了一定的相关性.酸腐蚀去除量越大,腐蚀后的TTV以及TIR参数越差,硅片表面局部起伏也越剧烈,相应地,抛光后的SFQR也有逐渐增大的趋势.碱腐蚀硅片表面局部起伏较小,因此能获得较好的抛光后SFQR参数;而酸腐蚀硅片表面局部起伏剧烈,抛光后SFQR相对较大.KOH碱腐蚀与NaOH碱腐蚀会产生不同的表面粗糙度Ra,但是抛光后SFQR分布情况差异不大.目前实验研究表明抛光后SFQR受抛光前的粗糙度起伏Ra影响不大,而主要受反映硅片表面轮廓的较为宏观的起伏影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	宁永铎		2	3	1.0	1.0
3	钟耕杭		3	3	1.0	1.0
5	路一辰		2	3	1.0	1.0
6	李耀东		3	8	2.0	2.0
9	王新		2	3	1.0	1.0